반응형 분류 전체보기180 반도체 8대 공정 - (2) 산화 공정 지난번에 소개한 반도체 첫 번째 공정인 웨이퍼 공정 에 이어서 오늘은 산화 공정에 대해서 알아 봅시다. 산화 공정은 반도체의 표면을 보호하기 위해 필요한 공정으로 그 상세 내용은 아래에서 살펴 봅시다. 1. 산화공정 산화 공정 이란, 실리콘(Si) 기판 위에 산화제(물(H2O), 산소(O2))와 열에너지를 공급하여 이산화규소(SiO2) 막을 형성하는 공정을 말합니다. 모든 공정의 기초 단계인 산화(Oxidation)공정은 웨이퍼에 여러 가지 물질로 얇은 막을 증착하는 대표적인 방법으로, 고온(800~1,200℃)에서 산소나 수증기를 웨이퍼 표면에 뿌려 얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO₂)을 형성시키는 과정입니다. 이때 만들어지는 산화막은 회로와 회로 사이에 누설 전류가 흐르는 것을 막아줄 뿐만 아니라, .. 2022. 12. 15. 반도체 8대 공정 - (1) 웨이퍼 공정 반도체 8대 공정이란 반도체 제작에서 필요한 8개의 주요 공정을 구분한 것을 말합니다. 그 중 첫 번째가 바로 웨이퍼 공정 입니다. 1. 웨이퍼 재료 : 실리콘 웨이퍼의 주 재료는 실리콘입니다. 실로콘은 풍부한 양이 지구상에 있고, 독성이 없어서 환경적으로 우수합니다. 반도체 집적회로(Semiconductor Intergrated Circuit)로는 많은 소자를 하나의 칩 안에 집적한 전자부품을 말합니다. 다양한 기능을 처리하고 저장하기 필요한 전자 부품입니다. 그리고 웨이퍼(Wafer) 란 그 집적회로를 올리기 위한 기반을 말합니다. 웨이퍼는 모래에서 추출한 규소, 바로 실리콘(Si)을 성장시켜 만든 단결정 기둥을 적당한 두께로 얇게 썬 원판물입니다. 2. 웨이퍼 제조 공정 1) 잉곳(Ingot) 만들.. 2022. 12. 15. FLANGE 플랜지 볼트 너트 선정 기준 스터드 볼트에 사용할 재료는 여러 요인에 따라 달라지며, 주요 요소는 플랜지 재료와 파이프라인 설계 온도입니다. 1. STUD BOLTS AND NUTS SELECTION TABLE DESIGN TEMPERATURE FLANGE MATERIAL STUD BOLT HEAVY HEX STEEL NUTS -195° to 102°C ASTM A 182 Gr. F304, F304L, F316, F316L, F321, F347 A320 Gr. B8 Class 2 A194 Gr. 8A -101° to -47°C ASTM A 350 Gr. LF3 A 320 Gr. L7 A 194 Gr. 7 -46° to -30°C ASTM A 350 Gr. LF2 A 320 Gr. L7 A 194 Gr. 7 -29° to 427°C .. 2022. 12. 10. 플랜지 볼트 규격, / Stud Bolt ASTM A193, A453, A320, A182 배관용 플랜지는 적절한 스터드 볼트와 너트를 사용하여 결합해야 합니다. 올바른 수, 직경, 길이 및 재료를 사용하여 플랜지를 적절하게 볼트로 연결하고 누출 없는 연결을 보장하는 것이 절대적으로 중요합니다. 또한 스터드 볼트는 적절한 순서와 적절한 토크를 적용하여 조여야 합니다. 플랜지 볼트 차트는 다양한 크기, 등급 및 표면 마감을 가진 ASME 플랜지에 필요한 스터드 볼트의 정확한 수, 직경 및 길이를 보여줍니다. 1. 플랜지 볼트 규격 / Flange bolt spec Nominal Pipe Size (NPS) Class 150 Class 300 Class 400 Class 600 # of Bolts Bolt Diameter Bolt Length # of Bolts Bolt Diameter Bolt .. 2022. 12. 10. 이전 1 ··· 38 39 40 41 42 43 44 45 다음 반응형
